Samsung 970 EVO Plus, 1000 GB, M.2, 3500 MB/s

Tuotenumero: [5019674] | Valmistaja: Samsung | Mallinum: MZ-V7S1T0BW | EAN: 8801643628086

Lue lisää teknisistä tiedoista

Päävarastossa. Tilaa ennen klo 17:00 niin pyrimme lähettämään tuotteen tänään. (arkipäivisin) Lisätietoja

Tuotetta on päävarastossa 25+ kappaletta

Nykyinen hinta on voimassa niin kauan kuin erää on jäljellä varastossa.

EUR 177,57

ilman ALV 143,20

Kokonaishinta sis. toimitus 177,57

Lisää ostoskoriin

Lähetä linkki sähköpostitse Lisää listaan Tallenna muistilistalle

The ultimate in performance, upgraded. Faster than the 970 EVO, the 970 EVO Plus is powered by the latest V-NAND technology and firmware optimization. It maximizes the potential of NVMe bandwidth for unbeatable computing.

The 970 EVO Plus reaches sequential read/write speeds up to 3,500/3,300 MB/s, up to 57% faster than the 970 EVO. The latest V-NAND technology - which brings greater NAND performance and higher power efficiency - along with optimized firmware, a Phoenix controller, and Intelligent TurboWrite boost speed.

Tuotekuvaus
Yksityiskohtaiset tuotetiedot

Produktbeskrivning	Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - solid state drive - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Typ	Solid state drive - inbyggd - TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Kapacitet	1 TB
Maskinvarukryptering	Ja
Krypteringsalgoritm	256 bitars AES
NAND-flashminnestyp	Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor	M.2 2280
Gränssnitt	PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Buffertstorlek	1 GB
Egenskaper	TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Dimensioner (BxDxH)	22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vikt	8 g
Tillverkarens garanti	5 års garanti

Allmänt
Typ av enhet	Solid state drive - inbyggd
Kapacitet	1 TB
Maskinvarukryptering	Ja
Krypteringsalgoritm	256 bitars AES
NAND-flashminnestyp	Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor	M.2 2280
Gränssnitt	PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Buffertstorlek	1 GB
Egenskaper	TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Bredd	22.15 mm
Djup	80.15 mm
Höjd	2.38 mm
Vikt	8 g
Prestanda
SSD-hållbarhet	600 TB
Intern datafrekvens	3500 MBps (läs)/ 3300 MBps (skriv)
4 KB Random Read	19000 IOPS
4 KB Random Write	60000 IOPS
Maximalt 4 KB Random Write	550000 IOPS
Max 4kB random read	600000 IOPS
Pålitlighet
MTBF (genomsnittstid mellan fel)	1,500,000 timmar
Expansion och anslutningar
Gränssnitt	PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibelt fack	M.2 2280
Strömtillförsel
Strömkonsumtion	6 Watt (genomsnitt) 9 Watt (max) 30 mW (max i viloläge)
Diverse
Standarder som följs	IEEE 1667
Tillverkarens garanti
Service och support	Begränsad garanti - 5 år
Miljöparametrar
Min temperatur vid drift	0 °C
Max temperatur vid drift	70 °C
Stöttolerans (vid drift)	1500 g @ 0,5 ms halvsinus

VARASTOTARJOUS